Samsung Lompat Jauh Untuk Teknologi Memori AI Miliknya 

Selular.id – Samsung dikabarkan menyiapkan lompatan besar pada teknologi memori untuk kecerdasan buatan (AI) dengan membawa proses fabrikasi 2nm ke bagian base die pada HBM5. Langkah ini akan melanjutkan penggunaan proses 4nm yang saat ini dipakai Samsung pada base die HBM4 dan HBM4E, sekaligus memperkuat posisi perusahaan dalam persaingan memori berkecepatan tinggi untuk pusat data AI.

HBM atau High Bandwidth Memory merupakan jenis memori yang dirancang untuk menangani perpindahan data dalam jumlah sangat besar. Teknologi ini banyak digunakan bersama prosesor AI dan GPU di pusat data karena mampu menyediakan bandwidth jauh lebih tinggi dibandingkan memori konvensional.

Dalam struktur HBM, base die merupakan lapisan logika yang berada di bagian paling bawah tumpukan memori. Komponen ini mengatur komunikasi dan distribusi daya antara HBM dengan prosesor utama. Samsung memilih proses 4nm untuk base die HBM4 karena menawarkan kombinasi performa, efisiensi daya, dan kematangan produksi.

Dari 4nm ke 2nm

Laporan yang dirujuk Wccftech menyebut Samsung tengah mengarahkan base die generasi HBM5 ke proses 2nm milik Samsung Foundry. Informasi tersebut juga sejalan dengan materi Samsung yang diperkenalkan dalam ajang GTC 2026, ketika perusahaan menampilkan roadmap HBM4E dan arsitektur HBM5.

Jika terealisasi, perpindahan dari 4nm ke 2nm akan menjadi salah satu perubahan penting pada bagian logika HBM. Proses fabrikasi yang lebih maju berpotensi membantu Samsung meningkatkan efisiensi daya serta kemampuan pemrosesan pada base die.

Namun, Samsung belum mengungkap seluruh spesifikasi final HBM5. Karena itu, peningkatan performa aktual dibandingkan HBM4 belum bisa disimpulkan hanya dari perpindahan proses fabrikasi tersebut.

Untuk saat ini, Samsung masih mengembangkan generasi HBM4 dan HBM4E. Perusahaan telah memulai produksi massal HBM4 dengan proses DRAM 1c dan base die berbasis proses 4nm. Produk tersebut memiliki kecepatan transfer hingga 13 Gbps per pin dan bandwidth maksimum mencapai 3,3 TB/s dalam satu stack.

Angka tersebut menunjukkan mengapa base die semakin penting dalam pengembangan HBM. Ketika bandwidth terus meningkat, bagian logika yang mengatur komunikasi antarkomponen juga harus mampu mengikuti kebutuhan tersebut tanpa meningkatkan konsumsi daya secara berlebihan.

HBM4E Jadi Jembatan

Sebelum mencapai HBM5, Samsung lebih dulu menyiapkan HBM4E. Dalam pengumuman resminya, Samsung menyebut HBM4E menggunakan DRAM generasi 1c dan base die berbasis proses 4nm Samsung Foundry. Memori ini menawarkan kecepatan hingga 14 Gbps per pin, dengan kemampuan ditingkatkan hingga 16 Gbps dan bandwidth lebih dari 4 TB/s pada pengembangan berikutnya.

Samsung juga sudah mengirimkan sampel HBM4E. Produk 12-layer yang diperkenalkan memiliki kapasitas 48GB, sementara perusahaan menyiapkan konfigurasi lain hingga 64GB untuk memenuhi kebutuhan pelanggan.

Artinya, proses 4nm masih akan memiliki peran penting sebelum Samsung benar-benar beralih ke base die 2nm. Perusahaan tampaknya menggunakan HBM4 dan HBM4E untuk mematangkan kombinasi proses fabrikasi, desain logika, serta teknologi packaging sebelum masuk ke generasi berikutnya.

Samsung juga memperkenalkan Heat Path Block (HPB) untuk mengatasi persoalan panas pada HBM generasi baru. Teknologi tersebut menyediakan jalur khusus untuk membantu memindahkan panas dari area D2D PHY, yaitu bagian base die yang menangani komunikasi berkecepatan tinggi antara HBM dan prosesor. Samsung menyatakan HPB sedang divalidasi pada HBM4E dan direncanakan digunakan pada produk HBM5.

Persaingan Memori AI Makin Ketat

Percepatan roadmap Samsung tidak terlepas dari meningkatnya kebutuhan memori berbandwidth tinggi untuk infrastruktur AI. Model AI yang semakin besar membutuhkan perpindahan data lebih cepat antara prosesor dan memori. Kondisi tersebut membuat HBM menjadi salah satu komponen penting dalam pembangunan pusat data generasi baru.

Samsung saat ini juga berupaya memperluas posisinya di pasar HBM. Perusahaan telah memperluas kerja sama dengan AMD untuk memasok HBM4 bagi akselerator AI generasi berikutnya, Instinct MI455X. Samsung menyebut HBM4 untuk platform tersebut menggunakan DRAM 1c dan base die logika 4nm.

Di sisi lain, Samsung harus menghadapi persaingan ketat dengan SK hynix dan Micron. Ketiga perusahaan sama-sama berlomba mengembangkan HBM dengan kapasitas lebih besar, bandwidth lebih tinggi, serta konsumsi daya yang lebih efisien.

Perubahan dari 4nm ke 2nm pada base die HBM5 menunjukkan bahwa kompetisi tersebut tidak hanya berlangsung pada teknologi DRAM. Lapisan logika, packaging, pengelolaan panas, hingga kemampuan manufaktur turut menjadi faktor penting dalam menentukan kemampuan sebuah produk HBM.

Bagi Samsung, HBM5 akan menjadi kesempatan untuk menggabungkan kemampuan bisnis memori dengan teknologi Samsung Foundry. Jika roadmap tersebut berjalan sesuai rencana, proses 2nm tidak hanya menjadi teknologi untuk prosesor, tetapi juga bagian dari fondasi memori AI generasi berikutnya.

Sementara itu, HBM4 dan HBM4E masih menjadi fokus jangka pendek perusahaan. Samsung telah menyiapkan produk dengan bandwidth hingga beberapa terabyte per detik dan kapasitas yang terus meningkat. Setelah itu, perhatian industri akan beralih pada seberapa jauh base die 2nm mampu memberikan peningkatan efisiensi dan performa ketika HBM5 mulai memasuki tahap komersialisasi.

Baca juga:Samsung Tambah Produksi Galaxy Z Fold8 hingga 1 Juta Unit